코팅 전처리 3단계 — 세정·표면 활성화·실란 커플링제

1분 요약 (Executive Summary)

• 주제 안내 — 이 글은 Parylene 코팅의 밀착에 큰 영향을 주는 전처리가 하는 일과 무처리 밀착 수준, 세정·표면 활성화·실란 커플링제 3단계의 역할, 대기 시간 관리, 부품을 보내는 상태와 전처리의 한계를 다룹니다.
• 전처리가 만드는 밀착 — 전처리 없이 코팅한 Parylene의 밀착 강도는 2–3 MPa 수준입니다. 밀착은 재료 자체의 성질이 아니라 전처리가 만드는 결과입니다[2, 3].
• 실란과 플라즈마 중간층 — 밀착을 실제로 높인 방법은 실란 커플링제의 화학 결합과 플라즈마 고분자 중간층입니다. 산소 플라즈마로 표면을 친수화하기만 하면 밀착이 높아지지 않거나 오히려 떨어질 수 있습니다[3, 4].
• 3단계의 순서 — 전처리는 세정으로 오염물을 없애고, 활성화로 결합 자리를 준비하고, 실란으로 잇는 3단계입니다. 세정이 먼저 끝나지 않으면 활성화와 실란이 기재가 아니라 오염물에 작용해 효과가 없습니다.
• 활성화 뒤의 대기 시간 — 활성화한 표면은 공기 중에서 다시 오염되고, 고분자 표면은 처리 전 상태로 되돌아갑니다[6]. 전처리를 마친 뒤 증착까지의 대기 시간을 공정 변수로 관리합니다.
• 전처리로 해결되지 않는 한계 — 재질 로트 차이, 열팽창 차이가 만드는 막의 응력, 막힌 구멍처럼 형상이 만드는 제약은 전처리로 해결되지 않습니다. 최종 밀착은 전처리를 거쳤다는 사실이 아니라 밀착 시험 결과로 판정합니다[1, 7, 9].

가공을 마친 금속 부품의 표면에는 눈에 보이지 않는 가공유와 지문, 이형제 잔사가 남아 있습니다. 이 위에 코팅하면 막은 기재가 아니라 그 오염층 위에 형성되고, 떨어질 때도 그 계면에서 떨어집니다.

"Parylene(파릴렌)은 밀착이 잘 되는 재료"라는 설명은 일부만 맞습니다. 아무 처리도 하지 않은 상태에서 Parylene의 밀착 강도는 2–3 MPa 수준에 그치기 때문입니다[2, 3]. 밀착은 재료 자체의 성질이라기보다 전처리가 만들어 내는 결과에 가깝습니다.

코팅 공정을 깊이 이해하려는 개발·품질 담당자를 위해, 전처리가 무엇을 하는 공정인지, 무처리 밀착이 얼마나 약한지, 세정·활성화·실란 3단계가 각각 무엇을 없애고 무엇을 만드는지, 활성화 효과가 시간이 지나면 사라지는 이유, 부품을 보낼 때의 상태, 전처리로 해결되지 않는 것을 차례로 정리합니다.

코팅 전처리는 무엇을 하는 공정인가?

코팅 전처리는 표면에서 방해물을 없애고, 코팅이 결합할 자리를 만드는 공정입니다.

두 가지 일은 성격이 다릅니다. 세정은 이미 표면에 있는 오염을 없애는 작업입니다. 활성화와 실란은 원래 없던 화학·물리 상태를 만드는 작업입니다. 없애는 일이 먼저 끝나야 만드는 일이 효과를 냅니다. 전처리를 '코팅 전에 부품을 닦는 일' 정도로 생각하면 활성화와 실란이 맡은 만드는 일을 놓칩니다.

전처리 3단계가 각각 하는 일과 단계가 빠졌을 때의 결과를 표 1에 정리했습니다.

계면 상태에 의존하는 밀착

Parylene은 상온 진공 증착으로 쌓이는 박막이어서 기재 표면을 녹이거나 파고들지 않습니다. 밀착이 화학 결합보다 계면 상태에 크게 의존하는 이유이며, 같은 Parylene이라도 표면을 미리 어떻게 준비했느냐에 따라 코팅 결과가 바뀝니다.

금속, 고분자(플라스틱), 세라믹은 표면에서 일어나는 반응이 서로 달라, 전처리 조건도 재질마다 따로 정합니다. 같은 금속이라도 부동태막이 있는 스테인리스(SUS)는 별도의 전처리 설계가 필요합니다. 재질별 판단은 아래에서 단계별로 나눠 살펴봅니다. 전처리 뒤에 이어지는 증착 공정의 원리는 Parylene CVD 증착 공정 3단계에 따로 정리했습니다.

전처리 없이 코팅하면 밀착이 얼마나 약한가?

전처리 없이 코팅한 Parylene의 밀착 강도는 2–3 MPa 수준입니다.

Fortin과 Lu의 Parylene 박막 물성 연구에 나오는 값입니다[2]. 코팅을 마친 직후에는 손으로 문질러도 잘 벗겨지지 않아 괜찮아 보일 수 있지만, 제품이 실제 환경에서 열사이클이나 진동을 받으면 이 정도 밀착으로는 계면이 견디지 못하고 박리될 수 있습니다. 초기 외관 검사만으로 밀착 품질을 판단할 수 없는 이유입니다.

처리 기체에 따라 반대로 나온 결과

전처리를 거치면 2–3 MPa라는 값이 10배 단위로 높아질 수 있지만, 그 폭과 방향은 처리 방법에 따라 다릅니다. Fortin·Lu가 정리한 연구들에서는 증착 전 플라즈마·글로 방전(Glow discharge) 처리로 대부분의 기재에서 밀착 강도가 10–100배 높아졌습니다[2].

처리 기체별로 나눠 보면 결과가 갈립니다. Sharma와 Yasuda가 글로 방전 처리를 기체별로 비교한 결과, 효과가 컸던 것은 기재에 플라즈마 고분자 막을 남기는 메탄 플라즈마였습니다. 고분자를 남기지 않고 친수성 표면만 만드는 산소 플라즈마는 Parylene 밀착을 오히려 떨어뜨렸고, 물속에서 견디는 밀착은 기재가 소수성일수록 높았습니다. 이 연구는 고분자 필름과 유리에 Parylene N을 증착한 결과로, 금속 기재는 시험하지 않았습니다[3].

밀착을 실제로 높인 방법으로는 다음 두 가지가 보고됐습니다.

• 실란 A-174 — Hassler 연구진의 신경 보철용 박막 연구에서 질화규소와 백금 위 밀착을 무처리 10–50 mN/cm 미만에서 약 1000 mN/cm로 높였습니다. 같은 연구에서 산소 플라즈마는 어느 기재의 밀착도 높이지 못했습니다[4].
• 플라즈마 고분자 중간층 — Yasuda 연구진이 시험한 냉간압연강판에서는 플라즈마로 만든 고분자 중간층을 넣은 뒤에야 방청 효과가 나타났습니다[5].

공정 조건으로 논의하는 밀착 사양

"Parylene C를 쓰겠다"는 결정만으로는 밀착을 보장할 수 없습니다. 어떤 재질에 어떤 전처리를 적용할지가 정해져야 목표 밀착 등급을 약속할 수 있습니다. 합격 등급을 사양서에 적는 방법은 코팅 사양서 합격선에 정리했습니다.

1단계: 세정 단계는 무엇을 없애는가?

세정은 표면에 남아 있는 유기·무기 오염물을 없애는 단계입니다.

대표적인 오염은 가공유와 절삭유, 작업자의 손자국(지문), 사출 부품의 이형제, 보호 필름을 떼어 낸 곳에 남은 점착제 잔사입니다. 문제는 이런 오염물의 두께가 나노미터 수준이어서 눈에 보이지 않는다는 점입니다. 부품이 겉보기에는 깨끗한데 밀착 시험에서 코팅이 떨어지는 상황이 여기서 생깁니다. 코팅과 기재 사이에 미세한 오염층이 끼어 있으면, 코팅이 아무리 단단해도 그 오염층 부위에서 계면이 파괴되기 때문입니다.

세정이 빠지면 뒤 단계의 효과가 없는 이유

활성화는 표면 반응성을 높이는 작업입니다. 오염층이 기재를 덮고 있으면 활성화되는 것은 기재가 아니라 오염물입니다. 실란도 기재가 아니라 오염물과 결합합니다. 공정을 다 거쳐도 실제 밀착은 오염층 자체의 약한 강도만큼만 나옵니다.

오염 종류에 따라 다른 세정 방식

유기 오염은 용제 계열로, 이온성 오염(Ionic contamination)은 수계 세정으로 없앱니다. (주)와인은 부품의 재질, 형상, 입고 상태를 확인해 세정 조건을 설계하며, 세정액이 잘 빠지지 않는 복잡한 형상의 부품은 공정을 따로 정합니다[10].

2단계: 표면 활성화는 무엇을 준비하는가?

표면 활성화는 실란이 결합할 자리를 만드는 단계입니다. 세정에서 남은 얇은 유기 오염도 이 단계에서 제거합니다.

깨끗하기만 한 표면은 실란이 결합할 자리가 부족할 수 있습니다. Parylene은 액체가 아니라 기체로 쌓이므로, 활성화의 목표는 물이 잘 퍼지는 표면, 곧 젖음성(Wettability)과 표면 에너지가 높은 표면이 아닙니다. Sharma·Yasuda와 Hassler 연구진은 산소 플라즈마로 표면을 친수화만 한 경우 Parylene 밀착이 좋아지지 않거나 오히려 나빠졌다고 보고했습니다[3, 4]. 활성화는 그 자체로 밀착을 만드는 단계가 아니라, 다음 단계인 실란이 제대로 결합하도록 표면을 준비하는 단계입니다.

기체에 따라 달라지는 플라즈마 결과

활성화 방법에는 플라즈마 처리와 화학 처리가 있습니다. 같은 플라즈마라도 기체에 따라 결과가 달라집니다. 친수화만 한 산소 플라즈마와 달리, 얇은 고분자 막을 남기는 메탄 플라즈마는 밀착을 크게 높였습니다(고분자·유리 기재 결과, [3]). 어떤 방식이 맞는지는 재질에 따라 다르므로, (주)와인은 재질과 표면 이력을 보고 활성화 방식과 실란 적용 여부를 함께 정합니다[10].

표면을 깎지 않는 활성화

여기서 말하는 활성화는 표면 거칠기(Roughness)를 키워 막을 기계적으로 맞물리게 하는 방식과 다릅니다. 정밀 부품일수록 치수나 표면 거칠기를 바꾸지 않고 화학적 표면 상태만 바꾸는 기술이 필요합니다. 광학면이나 실링(Sealing)면이 있는 부품이라면 활성화 조건을 신중하게 정합니다.

처리한 표면은 왜 시간이 지나면 달라지는가?

처리한 표면은 공기 중에서 다시 오염되고, 고분자 표면은 처리 전 상태로 되돌아가기 때문입니다.

처리 직후의 표면은 반응하기 쉬운 상태여서 공기 중 유기물이 다시 흡착됩니다. 고분자 부품에서는 여기에 소수성 회복(Hydrophobic recovery)이 겹칩니다. Jokinen 연구진은 산소·질소 플라즈마로 처리한 고분자 10종의 접촉각을 100일 넘게 측정해, 접촉각이 고분자와 처리 조건에 따라 서로 다른 속도로 처리 전 값을 향해 되돌아갔다고 보고했습니다[6].

예를 들어 PDMS는 처리 전 100°이던 물 접촉각이 처리 직후 8–78°로 내려갔다가 2일 뒤 42–102°, 100일 뒤 78–104°로 돌아갔습니다. 가장 적게 되돌아간 폴리스티렌도 100일 뒤 18–62°까지 올라갔습니다.

공정 변수인 대기 시간

활성화 직후 곧바로 증착하면 만들어 둔 표면 상태를 그대로 쓰지만, 처리해 둔 부품을 며칠씩 방치한 뒤 증착하면 같은 전처리를 거쳤더라도 밀착 결과가 달라질 수 있습니다. 공정 작업 일지에 전처리 시각과 증착 시작 시각을 함께 기록해 관리하는 이유입니다.

연속 운용

(주)와인은 활성화를 마치면 바로 다음 단계로 넘어가 증착까지 이어 가는 연속 운용 순서를 지킵니다[10]. 시제품 일정상 "전처리는 오늘 하고 증착은 며칠 뒤에 하자"는 요청을 받으면 일정을 다시 협의하는 것도 이 때문입니다.

3단계: 실란 커플링제는 어디에 필요한가?

실란 커플링제는 기재와 Parylene 코팅 사이를 화학적으로 이어야 하는 재질에 씁니다.

대표 실란 커플링제는 A-174, 곧 감마-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(γ-Methacryloxypropyltrimethoxysilane)입니다. 분자의 한쪽 끝은 금속의 산화막과, 반대쪽 끝은 Parylene 분자와 결합해 두 소재를 잇습니다[2]. 세정·활성화가 표면을 준비하는 단계라면, 실란은 실제로 결합을 만드는 단계로, 앞의 두 단계만으로는 밀착이 부족한 재질에서 마지막 한 단계를 채웁니다. Hassler 연구진의 실측에서는 실란 처리로 밀착이 20배 넘게 높아졌습니다[4].

재질에 따라 생략하는 실란

부품의 재질과 요구 신뢰성 수준에 따라 실란을 생략하기도 하지만, 부동태막이 단단하게 형성된 스테인리스(SUS)처럼 실란 처리가 사실상 필수인 재질도 있습니다. SUS에서 밀착이 어려운 이유와 대응 공정은 SUS 코팅 밀착력에 따로 정리했습니다.

얇게 남기는 실란층

실란 커플링제는 기재와 막 사이를 잇는 얇은 층입니다. 두껍게 남으면 그 층 자체가 약한 경계층(Weak boundary layer)이 될 수 있습니다. Mitchell 연구진의 연구에서 Parylene N의 테이프 시험 밀착을 개선한 A-174 용액 처리층은 두께가 약 6 Å였습니다. 처리 시간을 2분에서 2시간까지 늘려도 두께는 거의 그대로였습니다[8]. 실란층이 두꺼울 때 밀착이 떨어지는 효과를 Parylene에서 정량으로 보인 문헌은 찾지 못했으므로, 도포량과 건조 조건은 새 재질마다 시편으로 먼저 확인합니다.

부품을 어떤 상태로 보내야 하는가?

부품은 맨손 취급을 피하고 가공유를 1차 제거한 상태로 보냅니다. 보호 필름·표면 처리·사용 이력도 함께 적습니다.

전처리는 코팅 업체 공장 안에서만 끝나는 작업이 아닙니다. 부품이 처음에 어떤 상태로 입고되는지가 1단계 세정에서 없애야 할 오염의 양과 난이도를 정하기 때문입니다.

입고 상태가 나쁘면 세정 조건을 강하게 정할 수밖에 없습니다. 세정이 셀수록 부품 표면이 받는 물리·화학적 부담도 커집니다. 정밀 부품에서는 이 부담이 치수 오차나 외관 변형으로 나타납니다. 입고 전에 발주처에서 미리 관리하면 품질에 도움이 되는 항목은 아래 다섯 가지입니다.

• 맨손 취급 피하기 — 작업자 지문의 유분은 세정으로 지울 수 있지만, 정밀 접점이나 광학면에는 미세한 흔적이 남을 수 있어 장갑 착용을 권합니다.
• 가공유·절삭유 1차 제거 — 가능한 선에서 제거한 뒤 보냅니다. 표면에 오래 남아 굳은 유분은 세정하기가 더 어렵습니다.
• 보호 필름 부착 이력 — 보호 필름을 언제 붙였는지, 얼마나 오래 붙어 있었는지에 따라 표면에 남는 점착제 잔사의 특성이 달라집니다.
• 기존 도금·도장·산화 처리 이력 — 표면 맨 바깥층의 재질에 따라 전처리 화학 설계가 달라집니다.
• 사용하던 부품(A/S·양산품)의 사용 이력 — 신품과 현장에서 쓰던 부품은 표면 오염 상태가 다르므로 전처리도 달라집니다.

위 항목 중 확인이 어려운 내용은 비워 두지 말고 '미확인'으로 적습니다. 모르는 부분이 드러나야 시편 시험으로 미리 확인할 항목을 정할 수 있습니다. 시편 검증 절차는 코팅 샘플 테스트 절차에 정리했습니다.

전처리로도 해결되지 않는 것은 무엇인가?

재질 로트 차이, 열팽창 차이가 만드는 막의 응력, 형상의 물리적 한계 세 가지는 전처리로 해결되지 않습니다.

재질 로트와 최종 판정

같은 전처리 조건을 적용하더라도 재질의 로트(Lot)가 바뀌거나 표면 이력이 다르면 결과가 달라질 수 있습니다. 품질은 "전처리 공정을 거쳤다"는 조건이 아니라 실제 시험으로 판정합니다. (주)와인은 고객이 요청하면 동반 시편으로 크로스컷 시험을 해 밀착을 확인하며, 사내 합격 기준은 4B 이상입니다. ASTM D3359-23 규격은 합격·불합격 기준을 정하지 않으므로, 사양서에는 양측이 합의한 등급을 적습니다[1]. 등급 판정 절차는 ASTM D3359 크로스컷 시험에 정리했습니다.

막의 잔류 응력

Parylene C 막의 잔류 응력은 대부분 기재와 막의 열팽창 차이에서 생깁니다. Harder 연구진이 실리콘 위 Parylene C 막을 140–180 °C에서 열처리한 결과, 잔류 응력은 34–52 MPa였습니다[7]. 전처리로 계면을 잘 만들어도 이 응력은 그대로 남습니다.

이런 응력이 밀착을 떨어뜨린 것으로 해석된 사례도 있습니다. Hsu 연구진은 A-174 처리 실리콘 위 약 3 µm Parylene C를 공기 중에서 20분 열처리한 뒤 격자를 그어 테이프 시험했습니다. 증착 직후 5B이던 등급은 85 °C 4–5B, 120 °C 0–3B, 150 °C 0B로 떨어졌습니다. 같은 조건에서 0.38 µm 막은 150 °C 뒤에도 5B였습니다. 연구진은 열처리 중 생긴 응력이 계면 결합을 끊은 것으로 해석했습니다[9]. 두께와 열 이력은 요구 절연·방수 성능을 채우는 선에서 최소한으로 정합니다.

형상이 만드는 한계

세정액이 들어가 빠져나오지 못하는 막힌 구멍(Blind hole)과 플라즈마 활성화 기체가 닿지 못하는 깊은 내면은 전처리 조건으로 해결되지 않는 형상의 제약이므로, 도면 검토 초기에 미리 가려냅니다.

핵심 요약

• 전처리가 만드는 밀착 — 밀착은 전처리의 결과입니다. 무처리 Parylene의 밀착 강도는 2–3 MPa 수준입니다. 초기 외관만으로는 밀착 품질을 판단할 수 없습니다.
• 실란과 플라즈마 중간층 — 실란 처리와 플라즈마 고분자 중간층은 밀착을 크게 높였지만, 산소 플라즈마 친수화만으로는 높아지지 않거나 오히려 떨어졌습니다. 밀착 사양은 재료명이 아니라 공정 조건으로 논의합니다.
• 3단계의 순서 — 세정은 없애고, 활성화는 준비하고, 실란은 잇습니다. 세정은 빠질 수 없고, 활성화 방식과 실란 적용 여부는 재질에 따라 정합니다. 실란은 필요한 재질에 얇게 씁니다.
• 활성화 뒤의 대기 시간 — 처리한 표면은 다시 오염되고 고분자 표면은 처리 전 상태로 되돌아갑니다. 전처리 뒤 바로 증착하고, 전처리 시각과 증착 시각을 공정 기록으로 관리합니다.
• 전처리로 해결되지 않는 한계 — 재질 로트 차이, 열팽창 차이가 만드는 응력, 막힌 구멍·깊은 내면의 제약은 전처리로 해결되지 않습니다. 밀착 등급은 요청 시 크로스컷(ASTM D3359 Method B) 시험으로 판정합니다.

(주)와인은 고객사 부품의 재질, 표면 이력(가공유·보호 필름·도금·사용 이력), 입고 상태를 확인하고, 그에 맞는 Parylene 종류와 세정·활성화·실란 전처리 조건을 제안합니다.

부품의 재질, 표면 이력, 입고 예정 상태 세 항목을 알려 주시면 전처리 설계 방향과 시편 검증 계획을 회신합니다. 일반 준비 사항은 부품 코팅 견적 체크리스트에 정리했습니다. 문의하기 · 코팅 샘플 테스트 절차 보기

참고자료

번호는 성격별로 묶어 매겼습니다(규격 → 학술 문헌 → 자사 데이터). 본문의 번호가 아래 목록의 번호입니다. (주)와인의 세정·활성화 운영 방식은 자사 운영 기준(참고자료 10)이며, 규격이 정한 절차가 아닙니다. 학술 문헌은 모두 연구용 시편(고분자 필름·유리·실리콘·박막·냉간압연강판) 결과이며 특정 부품의 값이 아닙니다.

규격

1. ASTM D3359-23, Standard Test Methods for Rating Adhesion by Tape Test, ASTM International (2023-02-01 승인, 2023-03 발행). https://store.astm.org/d3359-23.html — 테이프 시험을 통한 도막 부착성 0–5 등급 평가 규격. 총 두께 125 µm 미만은 격자 패턴의 Method B 적용. 합격 등급은 이 규격이 정하지 않습니다.

학술 문헌

2. Fortin, J. B. & Lu, T.-M., Chemical Vapor Deposition Polymerization: The Growth and Properties of Parylene Thin Films, Springer, 2004, Ch. 6 "Film Properties". https://doi.org/10.1007/978-1-4757-3901-5 — 무처리 Parylene의 밀착 강도 수준(통상 2–3 MPa), 실란 커플링제 A-174(감마-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란)의 역할, 플라즈마·글로 방전 전처리에 의한 결합강도 10–100배 향상 근거. 원문을 열람하지 못했습니다. 글로 방전 효과는 처리 기체에 따라 반대로 나타났다는 원 연구(참고자료 3)를 함께 읽어야 합니다.
3. Sharma, A. K. & Yasuda, H., "Effect of glow discharge treatment of substrates on parylene-substrate adhesion", Journal of Vacuum Science and Technology 21(4), 994–998, 1982. https://doi.org/10.1116/1.571880 — Parylene N을 PTFE·PET 등 고분자 필름과 유리 슬라이드에 증착하고 반응기 안에서 아르곤·산소·메탄 플라즈마로 처리해 건식(테이프)·습식(끓는 식염수) 밀착을 0–5 등급으로 판정. 무처리 유리 0A/0B, 메탄 플라즈마는 모든 기재에서 개선(유리 5A/3B–4B), 산소 플라즈마는 건식·습식 모두 저하. 플라즈마 효과는 주변 표면에 따라 달라 '세정'으로 일반화할 수 없음. Parylene N과 고분자 필름·유리 기재의 1982년 결과이며, SUS 같은 금속 기재는 시험하지 않았습니다.
4. Hassler, C., von Metzen, R. P., Ruther, P. & Stieglitz, T., "Characterization of parylene C as an encapsulation material for implanted neural prostheses", Journal of Biomedical Materials Research Part B: Applied Biomaterials 93B(1), 266–274, 2010. https://doi.org/10.1002/jbm.b.31584 — Parylene C 20 µm 막을 질화규소·백금·금·폴리이미드 위에서 박리 시험(A-174 실란, 산소 플라즈마, 열처리, 증기 멸균 조합). 질화규소는 무처리·산소 플라즈마에서 10 mN/cm 미만, A-174에서 약 1000 mN/cm. 산소 플라즈마는 밀착을 높이지 못했고 열처리는 대부분 떨어뜨림. 모든 기판에 맞는 표준 조건은 못 찾음. 의료용 신경 보철 재료(박막 시편)에 대한 대학 실험 결과입니다.
5. Yasuda, H., Chun, B. H., Cho, D. L., Lin, T. J., Yang, D. J. & Antonelli, J. A., "Interface-Engineered Parylene C Coating for Corrosion Protection of Cold-Rolled Steel", Corrosion 52(3), 169–176, 1996. https://doi.org/10.5006/1.3292110 — 초록: 냉간압연강판에 바로 증착한 Parylene C는 막과 기재 사이에 밀착이 없어 부식 방지 효과가 없었음. (아르곤 + 수소) 플라즈마로 산화막을 제거하고 트라이메틸실레인 플라즈마 중합층 등 계면층을 넣은 뒤에는 상용 스캡 부식 시험에서 전착 도장·아연 인산염·전기아연도금 대조군과 같거나 더 나은 성능. 기재가 스테인리스가 아닌 냉간압연강판이며, 원문 PDF를 확보하지 못해 출판사가 등록한 초록 범위에서만 인용했습니다.
6. Jokinen, V., Suvanto, P. & Franssila, S., "Oxygen and nitrogen plasma hydrophilization and hydrophobic recovery of polymers", Biomicrofluidics 6(1), 016501, 2012. https://doi.org/10.1063/1.3673251 (PMC 전문 PMC3370401) — Aalto University. 고분자 10종(PDMS, PMMA, 폴리스티렌 등)을 산소·질소 플라즈마로 처리하고 접촉각을 100일 넘게 측정해 소수성 회복 속도를 비교. PDMS는 처리 전 100°, 직후 8–78°, 100일 78–104°로 강하게 회복, 폴리스티렌은 98° → 직후 5–12°, 100일 18–62°로 회복이 가장 적음. Parylene 밀착을 다룬 연구가 아니며, 접촉각만 측정했습니다.
7. Harder, T. A., Yao, T.-J., He, Q., Shih, C.-Y. & Tai, Y.-C., "Residual stress in thin-film parylene-c", Technical Digest. MEMS 2002 IEEE International Conference, 435–438, 2002. https://doi.org/10.1109/memsys.2002.984296 · 원문 PDF는 Caltech 저장소 https://authors.library.caltech.edu/27557/ — 실리콘 위 Parylene C 막을 100–200 °C에서 열처리한 뒤 잔류 응력 측정. 고정 멤브레인 360분 열처리에서 140·160·180 °C의 응력은 33.9·52.0·48.1 MPa, 관찰한 잔류 응력은 계산한 열 응력과 15 % 이내로 일치. 180 °C 막은 응력이 항복강도(55 MPa)에 가까워 시험 중 터짐. 이 논문은 Tg를 150 °C로 보고합니다. 대학 MEMS 시편 결과입니다.
8. Mitchell, C. J., Yang, G.-R. & Senkevich, J. J., "Adhesion aspects of poly(p-xylylene) to SiO2 surfaces using γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane as an adhesion promoter", Journal of Adhesion Science and Technology 20(14), 1637–1647, 2006. https://doi.org/10.1163/156856106778884217 — 수산기를 만든 SiO₂ 표면에 γ-MAPTS(A-174와 같은 분자)를 기상·용액으로 올리고 분광 타원계·적외선 분광·접촉각·XPS로 분석. 용액 도포 층은 약 6 Å로 거의 일정, 접촉각 0° → 45°. 그 위 Parylene N의 테이프 시험 밀착이 개선됐고 기상 도포 층의 밀착은 온도·시간에 따라 달라짐. 원문을 확보하지 못해 초록 범위에서만 인용했습니다. 시험한 막은 Parylene C가 아니라 N이며, 테이프 시험 등급 값과 두꺼운 실란층의 영향은 초록에 없습니다.
9. Hsu, J.-M., Rieth, L., Kammer, S., Orthner, M. & Solzbacher, F., "Effect of Thermal and Deposition Processes on Surface Morphology, Crystallinity, and Adhesion of Parylene-C", Sensors and Materials 20(2), 87–102, 2008. https://doi.org/10.18494/sam.2008.515 (출판사 공개 PDF 전문 https://sensors.myu-group.co.jp/sm_pdf/SM707.pdf. 서지는 원문 머리말 기준) — A-174 처리 기재 위 Parylene C를 85–150 °C에서 열처리하고 ASTM D3359 B법으로 시험. 증착 직후는 모두 5B. 약 3 µm 막·실리콘은 열처리 뒤 격자를 그으면 85 °C 4–5B, 150 °C 0B이고, 격자를 먼저 그으면 더 높게 나옴. 한 번의 열처리 결과이며, 반복 열사이클·고온고습 뒤의 밀착이나 금속·PCB 기재는 시험하지 않았습니다.

자사 데이터

10. (주)와인 자사 운영 기준 (2026-08) — 재질별 밀착 설계와 밀착 크로스컷 검증 절차(요청 시), 부품 재질·형상·입고 상태 맞춤형 세정 조건, 활성화 후 바로 이어지는 연속 공정 운용 수칙, 두께 운영 범위 0.5–50 µm, 60L·300L·1100L 3-Tier 챔버 운영. 자사 설비 운영 기준이며 외부 공인시험기관 성적서가 아닙니다. 재질 로트와 표면 이력에 따라 일부 조건은 재현 결과가 달라질 수 있습니다.